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我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實現(xiàn)新突破

發(fā)布日期：2018-06-12 發(fā)布者：廣東合通建業(yè)科技股份有限公司瀏覽量：(882)次瀏覽

來源：中國科技網(wǎng)收藏
6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。
本文引用地址：http://xueduep.cn/xingyezixun/30-160.html

　　中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了?！?br />

　　SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性，成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域的核心材料，具有重要的應用價值和廣闊的應用前景。

　　中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“高純SiC粉料是SiC單晶生長的關鍵原材料，單晶生長爐是SiC單晶生長的核心設備，要想生長出高質(zhì)量的SiC單晶，在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下，還需要對生產(chǎn)工藝進行設計、調(diào)試和優(yōu)化?！?br />

　　據(jù)介紹，單晶生長爐需要達到高溫、高真空、高潔凈度的要求，目前國內(nèi)只有兩家能生產(chǎn)單晶生長爐，中國電科二所是其中之一。他們突破了大直徑SiC生長的溫場設計，實現(xiàn)可用于150mm直徑SiC單晶生長爐高極限真空、低背景漏率生長爐設計制造及小批量生產(chǎn);他們還突破了高純SiC粉料中的雜質(zhì)控制技術、粒度控制技術、晶型控制技術等關鍵技術，實現(xiàn)了99.9995%以上純度的SiC粉料的批量生產(chǎn)。

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